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        東莞市粵興電子科技有限公司

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        高壓陶瓷電容5KV

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        高壓陶瓷電容5KV

        • 所屬分類:5KV 1PF-0.022UF

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        • 發布日期:2020/06/22
        • 在線詢價
        詳細介紹

        一、目的:規范陶瓷圓片電容器的客觀品質標準,讓客戶能詳細了解本公司的該類產品,確保本產品能滿足客戶的要求。

        二、適用范圍:適用于本公司生產的陶瓷圓片電容器。含檢驗狀態、檢驗項目、標準參數、判斷標準、檢測方法等內容。

        三、檢驗環境狀態:室溫25+2℃,濕度65%+15%;

        四、注意事項:

        1.      避免熱源對待檢品前后的影響;

        2.      待檢物須放置室溫中30分鐘以上方可檢測其電氣特性;

        3.      檢測完耐電壓或絕緣電阻后,須放置室溫中12小時后方可檢測其容值和其它電氣特性;

        五、項目規格及檢測方式

         

        序號

        項目

        規格

        檢測方法及條件

        1

        外觀、尺寸及標識

        無異常

        依外觀、尺寸及標識標準,尺寸用游標卡尺檢查,外觀、標識用目視法檢查。

        2

        絕緣電阻

        T.C.

        10000MΩMIN

        端子間施加額定工作電壓,500VDC以上以500VDC測試,測試時間為60秒以內。

        HIK

        10000MΩMIN

        半導體類

        100MΩ×UFMIN

        3

        耐電壓

        無破裂短路等明顯損壞異狀

        端子間施加額定電壓施壓1-5秒,充放電電流為50mA以下。

        W.V.500VDC   T.V=250%×W.V

        1000VDCW.V.500VDC T.V=200%×W.V

        W.V.2KVDC T.V=175%×W.V

        W.V.2KVDC T.V=150%×W.V

        4

        靜電容量

        在標準允許誤差內

        使用頻率:

        T.C.:≤1000PF檢測頻率用1MHz

             1000PF檢測頻率用1KHz

        HIK、半導體類:檢測頻率用1KHz

        使用電壓:

        T.C. 、HIK類用1.0VRMS

        半導體類用0.1VRMS

        5

        Q值和散逸因素DF

        T.C.

        C<30PFQ400+20×C

        測定條件與靜電容量之規定相同

        C30PFQ1000MIN

        HIK

        Y5E、Y5P、Z5U、Y5UDF2.5%

        Z5V、Y5VDF5%

        半導

        體類

        Y5P、Y5UDF5%

        Y5VDF7.5%







         

         

        序號

        項目

        規格

        檢測方法及條件

        6

        T.C.類:

        C4PF  TC ±250PPM/

        C9.9PF  TC ±120PPM/

        C10PF  TC ±60PPM/

        SL     TC P350-N1000

        25℃之容量值為基準,在(-)、(+)兩方Z大溫度之容量偏差,以變化率表示。

        試驗步聚見下表:

        溫度特性容量變化率的計算公式見下表

        步驟試驗溫度溫度代號容量代號125±2℃T1C12Z低溫度T2C2325±2℃T1C14Z高溫度T2C2525±2℃  

        T.C.類(PPM

                 T.C.=    C2-C1      ×106

                       C1T2-T1

        HIK、半導體類

                 T.C.=   C2-C1    ×100%

                           C1

        HIK、半導體類:

        Y5E:±4.7%

        Y5P:±10%

        Y5U、Z5U+22%-56%

        Y5V、Z5V+22%-82%

        7

        外觀

        端子引線周圍至少75%的面積均勻附錫,且本體無破裂等損壞現象。

        將元件端子線浸入溫度為240℃的溶錫內,端子線浸至離本體邊沿2.0-3.0mm處,并保持3+1/-0秒。試驗前,將電容器放置85+3-0℃中預熱,5分鐘后再進行焊錫試驗;試驗后,電容器須放置室溫中24小時后方可進行電氣特性的測試。

        其電氣特性的測試方法:

        1.靜電容量及散逸因素

        使用頻率:

        T.C.:≤1000PF檢測頻率用1MHz

             1000PF檢測頻率用1KHz

        HIK、半導體類:檢測頻率用1KHz

        使用電壓:

        T.C. 、HIK類用1.0VRMS

        半導體類用0.1VRMS

        2.絕緣電阻:

        端子引線間加額定直流電壓施壓60秒后讀出測試儀表所顯示之值;

        3.耐電壓:

        端子間加額定直流電壓施壓1-5秒,充放電電流為50mA以下。

        W.V.500VDC   T.V=250%×W.V

        1000VDCW.V.500VDC T.V=200%×W.V

        W.V.2KVDC T.V=175%×W.V

        W.V.2KVDC T.V=150%×W.V

        靜電容量變化率

        T.C.類:±5%或±0.5PF

        HIK、半導體類:

        Y5E:±10%;Y5P:±15%;

        Y5U、Z5U:±25%

        Z5V、Y5V:±30%

        Q值或DF

        T.C.類:

        C<30PFQ400+20×C

        C30PFQ1000MIN

        HIK類:

        Y5E/Y5P/Z5U/Y5UDF2.5%

        Z5V、Y5VDF5%

        半導體類:

        Y5P、Y5UDF5%

        Y5VDF7.5%

        絕緣電阻

        T.C.類:10000MΩMIN

        HIK類:10000MΩMIN

        半導體類:100MΩ×UFMIN

        耐電壓

        本體無損傷及無短路現象發生。

         

        8

        外觀

        無顯著之異?,F象

        計劃一:

        在溫度40±2℃、相對濕度90-95%的狀態下,連續施加直流額定電壓(充放電電流為50mA以下)500+24-0小時;

        計劃二:

        在溫度60±2℃、相對濕度95-97%的狀態下,連續施加直流額定電壓(充放電電流為50mA以下)250+24-0小時;

        試驗后置于室溫中:

        T.C.需放置24小時以上方可測定其電氣特性;

        HIK、半導體類規格需放置48小時以上方可測定其電氣特性;

        其電氣特性的測試方法:

        1.靜電容量及散逸因素

        使用頻率:

        T.C.:≤1000PF檢測頻率用1MHz

             1000PF檢測頻率用1KHz

        HIK、半導體類:檢測頻率用1KHz

        使用電壓:

        T.C. 、HIK類用1.0VRMS

        半導體類用0.1VRMS

        2.絕緣電阻:

        端子引線間加額定直流電壓施壓60秒后讀出測試儀表所顯示之值;

        靜電容量變化率

        T.C.類:Z大變化率為±7.5或±0.75PF;

        HIK、半導體類:

        Y5EZ大變化率為±10%;

        Y5PZ大變化率為±15%;

        Z5U、Y5UZ大變化率為±20%

        Z5V、Y5VZ大變化率為±30%

        Q值或

        散逸因素DF

        T.C.類:

        C<10PFQ200+10×C

        10PFC30PF Q275+2.5×C

        C30PFQ350MIN

        HIK類:

        Y5E/Y5P/Z5U/Y5UDF5%

        Z5V、Y5VDF7.5%

        半導體類:

        Y5P、Y5UDF7.5%

        Y5VDF10%

        絕緣電阻

        Z小值為500MΩ或25MΩ×UF取Z小者

        9

        (壽命

        試驗)

        外觀

        無顯著之異?,F象

        計劃一:

        在試驗溫度下連續施加2W.V.(充放電電流為50mA1000+48-0小時,試驗溫度85℃±3℃;

        計劃二:

        在試驗溫度下連續施加2.5W.V.(充放電電流為50mA500+48-0小時,試驗溫度100℃±3℃;

        試驗后置于室溫中:

        T.C.需放置24小時以上方可測定其電氣特性;

        HIK、半導體類規格需放置48小時以上方可測定其電氣特性;

        其電氣特性的測試方法:

        1.靜電容量及散逸因素

        使用頻率:

        T.C.:≤1000PF檢測頻率用1MHz

             1000PF檢測頻率用1KHz

        HIK、半導體類:檢測頻率用1KHz

        使用電壓:

        T.C. 、HIK類用1.0VRMS

        半導體類用0.1VRMS

        2.絕緣電阻:

        端子引線間加額定直流電壓施壓60秒后讀出測試儀表所顯示之值;

        靜電容量變化率

        T.C.類:Z大變化率為±7.5或±0.75PF;

        HIK、半導體類:

        Y5EZ大變化率為±10%;

        Y5PZ大變化率為±15%;

        Z5U、Y5UZ大變化率為±20%

        Z5V、Y5VZ大變化率為±30%

        Q值或

        散逸因素DF

        T.C.類:

        C<10PFQ200+10×C

        10PFC30PF Q275+2.5×C

        C30PFQ350MIN

        HIK類:

        Y5E/Y5P/Z5U/Y5UDF5%

        Z5V、Y5VDF7.5%

        半導體類:

        Y5P、Y5UDF7.5%

        Y5VDF10%

        絕緣電阻

        Z小值為500MΩ或25MΩ×UF取Z小者

        10

        端子強度

        抗拉強度

        導線不斷裂,電容器本體不破損。

        垂直固定被測物本體,引線向下,負荷施力方向為端線引出方向,施加負荷為1.0 kgf,時間為5秒。

        變曲強度

        固定被測物體,施加1kgf于端子引線間并變曲90度,回復原來之位置,并反向變曲90度,1次彎曲時間為5秒。

         

        六、溫度特性曲線圖(溫度與容量變化率特性圖)

        1.T.C.                                                                                                          


         
















                      N80N150N220N330N470N750SL N1500 










        +10






































































        +5






































































        0




        NPO



        NPO































































        -5






































































        -10






        -55  -35     -15      +5     +25     +45     +65     +85

        2.HIK、半導體類

                                                              TEMP


        -30  -20   -10   +0  +10 +20+25  +40  +50 +60  +70  +80

        七、命名方法

        CC
        Y5P

        102

        K

        C

        5

        S

        LL

        1

        2

        3

        4

        5

        6

        7

        8

        1.CC”:陶瓷圓片電容器

        CC:工作電壓<500VDC,一般涂裝。

        SC:半導體類

        HP:工作電壓500VDC 一般涂裝。

        HE:工作電壓500VDC環氧樹脂涂裝。

        2.容量特性

        材質

        類型

        T.C.

        HIK、半導體類

        NPO

        SL

        Y5P

        X7R

        Y5E

        Y5U

        Y5V

        Z5U

        Z5V

        溫度

        范圍

        -25~+85

        -25~+85

        -25~+85

        -55~+125

        -25~+85

        -25~+85

        -25~+85

        +10~+85

        +10~+85

        變化率

        +250PPM

        P350

        -N1000

        ±10%

        ±15%

        ±4.7%

        +22%

        -56%

        +22%

        -82%

        +22%

        -56%

        +22%

        -82%

         

         

        3.102”標準容量1000PF

        代碼

        靜電容量

        代碼

        靜電容量

        8R2

        8.2PF

        102

        1000PF

        100

        10PF

        473

        0.047UF

        470

        47PF

        224

        0.22UF

        101

        100PF

        105

        1.0UF

        容量換算公式

        1UF=1000NF=1000000PF=10-6F

        4.容量允許誤差

        代碼

        誤差

        代碼

        誤差

        代碼

        誤差

        C

        ±0.25PF

        J

        ±5%

        S

        +50%-20%

        D

        ±0.5PF

        K

        ±10%

        Z

        +80%-20%

        G

        ±2%

        M

        ±20%



        5.額定電壓

        代碼

        額定電壓

        代碼

        額定電壓

        代碼

        額定電壓

        代碼

        額定電壓

        A

        16VDC

        D

        100VDC

        G

        1000VDC

        J

        4000VDC

        B

        25VDC

        E

        250VDC

        H

        2000VDC

        K

        50000VDC

        C

        50VDC

        F

        500VDC

        I

        3000VDC

        L

        60000VDC

        6.端子線間距離

        代碼

        尺寸(mm

        代碼

        尺寸(mm

        2

        2.54±0.8

        7

        7.62±0.8

        5

        5.08±0.8

        9

        9.52±0.8

        6

        6.35±0.8

        10

        10±0.8

        7.銅線外形

        腳型

        直腳

        內彎腳

        外彎腳

        代碼

        S

        I

        O

        8.包裝類型

        TA:表示編帶盒裝;

        TR:表示編帶卷裝;

        LL:表示長腳20mmMin;

        C3:表示切腳腳長為3.5mm±0.5mm;

        C4:表示切腳腳長為4mm±0.5mm;

        C5:表示切腳腳長為5mm±0.5mm;

        C6:表示切腳腳長為6mm±0.5mm;

        C7:表示切腳腳長為7mm±0.5mm;

        C8:表示切腳腳長為8mm±0.5mm;

        八、銅線線徑使用說明

        編帶類:0.56±0.05mm;

        散裝類:工作電壓小于或等于500V產品:0.45±0.05mm;

                工作電壓大于500V、小于或等于1000V產品:0.47±0.05mm;

                工作電壓大于1000V產品:0.56±0.05mm

        九、包裝數量及方式

        編帶類:TA編帶每二千個為一基本包裝單位,TR編帶每二千五百個為一基本包裝單位;

        散裝類:每一千個為一基本包裝單位;


        十、標識及例圖

        1.標志

         

        472M”:電容器容量規格及標準容量允許誤差代碼;

        2KV”:表示此規格產品額定工作電壓;

        注:額定工作電壓小于50V的規格產品,電壓標識不打??;

            額定工作電壓為50V的規格產品,電壓標識用“    ”表示;

        2.散裝型例圖

        長腳直腳型(S       短腳直腳型(S      內彎腳型(I         外彎腳型(O


        3.編帶型例圖及說明

        直腳型                                          彎腳型


         

        D:本體直徑,以10mm為Z大;

        T:本體厚度;

        d:端子線直徑,以0.56±0.05mm;

        P:兩本體中心點間距離:12.7±1.0mm;

        P0:兩孔徑中心點間距離:12.7±0.2mm;

        P1:孔徑中心點至端線之距離:3.85±0.5mm;

        P2:本體中心點至孔徑中心點間距離:6.35±1.0mm;

        F:兩端線間距:5.08±0.8mm;

        h:本體偏離中心點Z大范圍:0±2.0mm;

        W:牛皮紙帶寬度:18.0±0.5mm;

        W0:熱熔膠帶寬度:6.0mmMin;

        W19.0±0.5mm;

        W23.0mmMax;

        H016.0±0.75 mm 18.0±0.75mm;

        D0:孔徑4.0±0.2mm;

        t:牛皮紙帶厚度0.5±0.2mm;

        B:絕緣腳,直腳型為2.0mmMax,彎腳型為4.0mmMax;


        相關標簽:高壓陶瓷電容器

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