高壓陶瓷電容2KV

1

外觀、尺寸及標識

無異常

依外觀、尺寸及標識標準，尺寸用游標卡尺檢查，外觀、標識用目視法檢查。

2

絕緣電阻

T.C.類

10000MΩMIN

端子間施加額定工作電壓，500VDC以上以500VDC測試，測試時間為60秒以內。

HIK類

10000MΩMIN

半導體類

100MΩ×UFMIN

3

耐電壓

無破裂短路等明顯損壞異狀

端子間施加額定電壓施壓1-5秒，充放電電流為50mA以下。

W.V.＜500VDC   T.V=250%×W.V

1000VDC≧W.V.≥500VDC T.V=200%×W.V

W.V.＝2KVDC T.V=175%×W.V

W.V.＞2KVDC T.V=150%×W.V

4

靜電容量

在標準允許誤差內

使用頻率：

T.C.：≤1000PF檢測頻率用1MHz

     ＞1000PF檢測頻率用1KHz

HIK、半導體類：檢測頻率用1KHz

使用電壓：

T.C. 、HIK類用1.0VRMS

半導體類用0.1VRMS

5

Q值和散逸因素DF

T.C.類

C<30PF：Q≥400+20×C

測定條件與靜電容量之規定相同

C≥30PF：Q≥1000MIN

HIK類

Y5E、Y5P、Z5U、Y5U：DF≤2.5%

Z5V、Y5V：DF≤5%

半導

體類

Y5P、Y5U：DF≤5%

Y5V：DF≤7.5%

6

溫

度

特

性

T.C.類：

C≦4PF  TC ±250PPM/℃

C≦9.9PF  TC ±120PPM/℃

C≧10PF  TC ±60PPM/℃

SL     TC P350-N1000

以25℃之容量值為基準，在（-）、（+）兩方Z大溫度之容量偏差，以變化率表示。

試驗步聚見下表：

溫度特性容量變化率的計算公式見下表

①T.C.類（PPM）

         T.C.=    C2-C1      ×10⁶

               C1（T2-T1）

②HIK、半導體類

         T.C.=   C2-C1    ×100%

                   C1

HIK、半導體類：

Y5E：±4.7%

Y5P：±10%

Y5U、Z5U：+22%-56%

Y5V、Z5V：+22%-82%

7

焊

錫

附

著

性

及

焊

錫

耐

熱

性

外觀

端子引線周圍至少75%的面積均勻附錫，且本體無破裂等損壞現象。

將元件端子線浸入溫度為240℃的溶錫內，端子線浸至離本體邊沿2.0-3.0mm處，并保持3+1/-0秒。試驗前，將電容器放置85+3-0℃中預熱，5分鐘后再進行焊錫試驗；試驗后，電容器須放置室溫中24小時后方可進行電氣特性的測試。

其電氣特性的測試方法：

1.靜電容量及散逸因素

使用頻率：

T.C.：≤1000PF檢測頻率用1MHz

     ＞1000PF檢測頻率用1KHz

HIK、半導體類：檢測頻率用1KHz

使用電壓：

T.C. 、HIK類用1.0VRMS

半導體類用0.1VRMS

2.絕緣電阻：

端子引線間加額定直流電壓施壓60秒后讀出測試儀表所顯示之值；

3.耐電壓：

端子間加額定直流電壓施壓1-5秒，充放電電流為50mA以下。

W.V.＜500VDC   T.V=250%×W.V

1000VDC≧W.V.≥500VDC T.V=200%×W.V

W.V.＝2KVDC T.V=175%×W.V

W.V.＞2KVDC T.V=150%×W.V

靜電容量變化率

T.C.類：±5%或±0.5PF

HIK、半導體類：

Y5E：±10%；Y5P：±15%；

Y5U、Z5U：±25%

Z5V、Y5V：±30%

Q值或DF

T.C.類：

C<30PF：Q≥400+20×C

C≥30PF：Q≥1000MIN

HIK類：

Y5E/Y5P/Z5U/Y5U：DF≤2.5%

Z5V、Y5V：DF≤5%

半導體類：

Y5P、Y5U：DF≤5%

Y5V：DF≤7.5%

絕緣電阻

T.C.類：10000MΩMIN

HIK類：10000MΩMIN

半導體類：100MΩ×UFMIN

耐電壓

本體無損傷及無短路現象發生。

靜電容量變化率

T.C.類：Z大變化率為±7.5或±0.75PF；

HIK、半導體類：

Y5EZ大變化率為±10%；

Y5PZ大變化率為±15%；

Z5U、Y5UZ大變化率為±20%

Z5V、Y5VZ大變化率為±30%

Q值或

散逸因素DF

T.C.類：

C<10PF：Q≥200+10×C

10PF≤C≤30PF Q≥275+2.5×C

C≥30PF：Q≥350MIN

HIK類：

Y5E/Y5P/Z5U/Y5U：DF≤5%

Z5V、Y5V：DF≤7.5%

半導體類：

Y5P、Y5U：DF≤7.5%

Y5V：DF≤10%

絕緣電阻

Z小值為500MΩ或25MΩ×UF取Z小者

9

高

溫

負

荷

（壽命

試驗）

外觀

無顯著之異?，F象

計劃一：

在試驗溫度下連續施加2倍W.V.（充放電電流為50mA）1000+48-0小時，試驗溫度85℃±3℃；

計劃二：

在試驗溫度下連續施加2.5倍W.V.（充放電電流為50mA）500+48-0小時，試驗溫度100℃±3℃；

試驗后置于室溫中：

T.C.需放置24小時以上方可測定其電氣特性；

HIK、半導體類規格需放置48小時以上方可測定其電氣特性；

其電氣特性的測試方法：

1.靜電容量及散逸因素

使用頻率：

T.C.：≤1000PF檢測頻率用1MHz

     ＞1000PF檢測頻率用1KHz

HIK、半導體類：檢測頻率用1KHz

使用電壓：

T.C. 、HIK類用1.0VRMS

半導體類用0.1VRMS

2.絕緣電阻：

端子引線間加額定直流電壓施壓60秒后讀出測試儀表所顯示之值；

靜電容量變化率

T.C.類：Z大變化率為±7.5或±0.75PF；

HIK、半導體類：

Y5EZ大變化率為±10%；

Y5PZ大變化率為±15%；

Z5U、Y5UZ大變化率為±20%

Z5V、Y5VZ大變化率為±30%

Q值或

散逸因素DF

T.C.類：

C<10PF：Q≥200+10×C

10PF≤C≤30PF Q≥275+2.5×C

C≥30PF：Q≥350MIN

HIK類：

Y5E/Y5P/Z5U/Y5U：DF≤5%

Z5V、Y5V：DF≤7.5%

半導體類：

Y5P、Y5U：DF≤7.5%

Y5V：DF≤10%

絕緣電阻

Z小值為500MΩ或25MΩ×UF取Z小者

10

端子強度

抗拉強度

導線不斷裂，電容器本體不破損。

垂直固定被測物本體，引線向下，負荷施力方向為端線引出方向，施加負荷為1.0 kgf，時間為5秒。

變曲強度

固定被測物體，施加1kgf于端子引線間并變曲90度，回復原來之位置，并反向變曲90度，1次彎曲時間為5秒。

+10

+5

0

NPO

NPO

-5

-10

1

2

3

4

5

6

7

8

NPO

SL

Y5P

X7R

Y5E

Y5U

Y5V

Z5U

Z5V

溫度

范圍

-25℃~+85℃

-25℃~+85℃

-25℃~+85℃

-55℃~+125℃

-25℃~+85℃

-25℃~+85℃

-25℃~+85℃

+10℃~+85℃

+10℃~+85℃

變化率

+250PPM

P350

-N1000

±10%

±15%

±4.7%

+22%

-56%

+22%

-82%

+22%

-56%

+22%

-82%

8R2

8.2PF

102

1000PF

100

10PF

473

0.047UF

470

47PF

224

0.22UF

101

100PF

105

1.0UF

容量換算公式

1UF=1000NF=1000000PF=10^-6F

C

±0.25PF

J

±5%

S

+50%-20%

D

±0.5PF

K

±10%

Z

+80%-20%

G

±2%

M

±20%

A

16VDC

D

100VDC

G

1000VDC

J

4000VDC

B

25VDC

E

250VDC

H

2000VDC

K

50000VDC

C

50VDC

F

500VDC

I

3000VDC

L

60000VDC

2

2.54±0.8

7

7.62±0.8

5

5.08±0.8

9

9.52±0.8

6

6.35±0.8

10

10±0.8

代碼

S

I

O